От чего зависит напряжение пробоя в полупроводниковых стабилитронах?

Answer 1

Это же диод. У любого диода напряжение пробоя зависит от ширины pn-перехода, т. е. от того, насколько легированы области, чем сильне-тем ниже напряжение пробоя и уже переход, если ширина достаточно мала, то возможен туннельный пробой, это немного другой процесс, для него напряжение требуется вобще мизерное, это квантовый процесс. Разумется, там есть свои ухищрения для увеличения тока, который диод может выдержать в режиме пробоя, не доводя его до теплового, но принцип, в целом, один.