В чём преимущества малой подвижности носителей?

Question

Ну в полупроводниках например. Где такие материалы могут применяться? Или одни недостатки?

Answer 1

Это старые низкочастотные германиевые и кремниевые транзисторы были с длительным временем рассасывания носителей в база-эмитерном переходе, давно не выпускают.

Answer 2

Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов) [1]. В отечественной и зарубежной литературе такие приборы часто обозначают HEMT — от англ. High Electron Mobility Transistor. Также в зависимости от структуры используются аналогичные названия: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT. Другие названия этих транзисторов: полевые транзисторы с управляющим переходом металл — полупроводник и гетеропереходом, ГМеП транзисторы, полевые транзисторы с модулированным легированием, селективно-легированные гетероструктурные транзисторы (СЛГТ)

Answer 3

Высокая подвижность носителей приводит к тому, что сделать металлический холодильник имени тов. Пельтье невозможно, термоэлектрический эффект тут же смазывается теплопроводностью, которую в металлах обеспечивают в значительной степени электроны.
В полупроводниках с этим полегче, и вот они, фабричный полупроводниковые холодильники.