Как этот дарлингтон настроить ?

Answer 1

На представленной схеме изображен усилитель на основе транзисторов, работающих в конфигурации Дарлингтона. Проблема с пропаданием сигнала при касании базы может быть связана с несколькими факторами. Анализ схемы и проблемы. В вашей схеме используется пара транзисторов в конфигурации Дарлингтона (T1 и T2) , что обеспечивает высокий коэффициент усиления. Когда вы касаетесь базы, происходит изменение входного сопротивления и смещения рабочей точки транзисторов. Основные причины проблемы: 1. Резистор Rx1 влияет на смещение базы первого транзистора. Без него схема работает, но становится чувствительной к внешним воздействиям. 2. При касании базы, ваше тело вносит дополнительное сопротивление и емкость, что нарушает режим работы транзисторов. 3. Дарлингтоновская пара имет повышенное падение напряжения база-эмиттер (около 1, 2-1, 4В вместо 0, 7В у одиночного транзистора) . Рекомендации по настройке. 1. Настройка смещения базы: – Рассчитайте правильное значение резистора Rx1 для обеспечения нужного тока базы. Используйте формулу: R = (Vcc – VBE) / IB, где VBE для пары Дарлингтона составляет примерно 1, 2-1, 4В. – Для повышения стабильности работы схемы рекомендуется использовать делитель напряжения на базе (R1 и R2) . 2. Оптимизация значений резисторов: – Резистор R4 (15k) и R6 (43k) определяют режим работы первого транзистора. Возможно, требуется их коректировка. – Для повышения стабильности работы при касании можно увеличить R4 до 22-33 кОм. 3. Защита от помех: – Добавьте небольшой конденсатор (10-100 нФ) параллельно резистору Rx1 для фильтрации высокочастотных помех. – Убедитесь, что схема имет хороше заземление. 4. Проверка режима работы: – Измерьте напряжение база-эмиттер Дарлингтоновской пары. Оно должно быть около 1, 2-1, 4В. – Рассчитайте желаемое напряжение на базе: Vбазы = VBE + (RE * Iколлектора) . Если схема используется как сенсор касания, возможно, стоит рассмотреть альтернативные конфигурации, боле устойчивые к внешним воздействиям, например, комплементарную пару транзисторов.