Падение напряжения на транзисторах

Question

У германиевых транзисторов падение напряжения около 0, 2-0, 3в.
У кремниевых около 0, 6-0, 7 вольт.
У полевых какое падение напряжения?

Answer 1

У полевых транзисторов (например, ИПН или MOSFET) падение напряжения может сильно варьироваться в зависимости от конкретной схемы и условий работы. Однако в общем случае:
 
- Для *MOSFET* с включённым каналом (в режиме насыщения) обычно напряжение на стоке (V_DS) составляет всего 0, 1-0, 3 вольта, когда транзистор находится в режиме включения (обозначается как *R_DS (on) * — сопротивление стока-истока) . Это напряжение будет зависеть от значения тока через транзистор и сопротивления R_DS (on) .
 
- Для *IGBT* (изолированных биполярных транзисторов с управляемым затвором) падение напряжения может быть примерно 1, 5-3 вольта, это связано с тем, что IGDT функционирует как комбинация биполярного и полевого транзистора.
 
В целом, для полевых транзисторов падение напряжения на транзисторе в включенном состоянии можно описать, как небольшое значение (немного выше 0 вольт) , что делает их хорошими для использования в различных схемах, где требуется высокая эффективность.