Квантование напряжения в DRAM, Flash, HD

Question

Чисто теоретически, с точки зрения физики, сколько вариантов значений напряжения можно записать в ячейки DRAM или флеш-памяти, и отдельный вопрос, сколько вариантов напряженности магнитного поля можно записать в ячейку на жестком диске или на магнитной ленте?

Answer 1

Это не теория, а техника. Сколько предусмотришь при конструировании, столько и будет. Но придется (конструкторски) обеспечивать достаточную малость шумов по сравнению с шагом квантования.

Кстати, лет 5-10 назад выпускалась (а м. б. и сейчас продолжает выпускаться) флэш-память, запоминающая неквантованный сигнал. Была тогда статья про какую-то поделку на такой памяти в журнале Радио, Из не я о такой памяти и узнал.

Answer 2

физически все упирается в возможность через некоторое время считать именно то, что было записано. С учетом неравномерной потери заряда разными ячейками внутри чипа, флуктаций уровня напряжения питания, нелинейных искажений в цепях усиления и других помех. Чем мельче квантуем - тем жестче должны быть условия записи/хранения/чтения. А так то можно писать и бесконечное количество уровней, то есть аналоговый сигнал.