При хранении полупроводниковых приборов, там происходит дальнейшая диффузия примесей, и, как следствие, порча. А если

Question

Хранить с поданным обратносмещённым напряжением, дольше пролежат?

Answer 1

Проще применять донорно акцепторные примеси с низкой скоростью диффузии при н. у.
и выращивать кристаллы с низким числом собственных дефектов типа дислокаций и других - склонных провышать локально скорость диффузии. Собственно переход от сплавной к эпитаксиальной технологии и от германия к кремнию решил данную проблему.