Вопрос по поводу, схемы с общим коллектором. Прочитал тонны книжек, а ответа на свой вопрос так и не нашел.

Question

Схема с ОК. Понятно что усиления по напр-я не будет, т. к нагрузка подключена к эмиттерному переходу (Б-Э) . И то напряжения которая подано к эмиттерному переходу (Б-Э) , таково и будет напряжения, - 0, 6V отнимает переход (Б-Э) . Ну понятно с этим. Идем дальше. А вот как получается усиления по току в схеме с ОК? Ведь усиления по току должно происходит в коллектором переходе (Б-К) , а нагрузка на схеме с ОК подключена к эмиттеру. Есть тут настоящие адекватные технари которые могут это мне объяснить?

Answer 1

примерная аналогия: плотина создаёт разность потенциалов (высота) , т. е. скорость потока носителей заряда, ширина плотины обеспечивает ток (количество воды за ед. времени) , меня ширину перехода меняем ток при постоянном (почти) напряжении на переходе

Answer 2

На пальцах.
В эмиттере стоит резистор R. Через него течет ток эмиттера I и на нем же получается падение напряжения U1. Но прикол в том, что я могу поставить сопротивление R в 3 раза меньше. Тогда через него потечет ток 3*I то есть в три раза больше - при ТОМ ЖЕ падении напряжения U1
Получается - я могу установить номинал тока в эмиттере при том же самом токе базы, который был и при других нагрузках в эмиттере.
А теперь - все это в динамике, то есть при изменении тока базы от нуля до насыщения перехода. Усиление по напряжению отсутствует, ибо есть ОС. А ток можно гонять любой (в паспортных значениях, канеш) .

Answer 3

У схем с общим эмиттером высокое выходное сопротивление, поэтому они дают усиление по напряжению, а у схем с общим коллектором низкое, вот они и усиляют по току.

Answer 4

Переходы БК и БЭ это аналогичные друг другу PN переходы. Просто, чисто конструктивно транзистор выполнен так, что наибольше усиление в схеме с ОЭ. То есть, в каком-то смысле, коллектор и эмиттер это условные понятия.