как довести транзистор до такого насыщения, чтобы при повышении ток базы ток коллектора не изменялся

Question

сколько бы я бы не собирал/не рассчитывал транзисторный ключ, еще ни разу не удавалось получить полное насыщения (при повышении ток базы ток коллектора не изменялся) , у меня получается такое - либо ток коллектора увеличивается все больше и больше как активный режим хотя по расчетам это насыщения, либо ток коллектора становится меньше и меньше чем ток базы (но все же она меняется! ) , а мне нужно ввести транзистор в такое насыщения, чтобы при повышении ток базы ток коллектора не менялся.
к примеру имем следующие параметры. как добиться такого эффекта?

Рабоче напряжения светодиода = 2V
Рабочий ток светодиода = 17mA (0. 017A)
Источник питания = 8, 72V (К-Э)
Напряжения входного сигнала = 1, 57V (Б-Э)
VT=кт3102. структура NPN.
h21e - измерил на трех мультиметрах показывает:
-мультиметр = hFe=384
-мультиметр = hFe=452
-мультиметр = hFe=373
я принял h21e=350

Answer 1

Режим насыщения
Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты) . Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнётся проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ. нас) и коллектора (IК. нас)