чем отличается MOSFET от IGBT

Answer 1

мощность, и температура это разная технология изготовления Мосфиты отличаются от IGBT вот чем. Мосфиты - это обычные полевики. Чем бОльший ток они могут пропустить - тем больше нужна площадь кристалла. Чем выше рабоче напряжение - тем толще рабочий слой, упрощенно. При этом выходит, что чем боле сильнотоковый транзистор - тем больше у него входная емкость. И сделать транз с очень большим кристаллом по площади много проблемней, чем несколько с меньшей, а потом параллелить. А открывать-закрывать надо быстро. А входная емкость - порядка нескольких тыс пикофарад. Какие, нафиг, 300 кгц? Посчитайте токи перезаряда, напряжение на затворе - до 15 вольт. Физика школьная. Зато напряжение насыщения у них - сотые доли вольта! Теперь вторые - IGBT - это обычный биполярный транзистор, а на входе стоит полевик. Входная емкость маленькая, быстродействие бешеное, но напряжение насыщения - порядка одного вольта. Сначала все делали на Мосфитах, с большими сердечниками и тд. Теперь делают на IGBT. Принципиально НЕТ НИ КАКОЙ РАЗНИЦЫ, кроме веса. У меня один на мосфитах сварочник, другой на IGBT. Старый, на Мосфитах, без каких то наворотов, работает уже лет семь, в самых ужасных условиях. Понове - лучше работает от плохой сети. Но это - чисто схемные решения, ни как не связанные с транзисторами. Повторюсь - с транзисторами связан только вес вот на примере сварочных