IGBT транзисторы можно на MOSFET менять ?

Answer 1

Можно. Надо учесть, что на высоких для этих высоковольтных приборов частотах полевой будет греться сильне — у MOSFET потери становятся заметными при 20 и боле кГц в сравнении с IGBT+FRD (fast recovery diode) .

Разница настолько незначительна, что может вполне устроить.

MOSFET = Metal-Oxide-Semiconductor FET (Field-Effect Transistor)
IGBT = Insulated Gate Bipolar Transistor