Что дает кристаллографическая ориентация кремния при производстве интегральных схем? Зачем е нужно строго задавать?

Answer 1

Есть такой способ введения примесей, как ионная имплантация. Так вот, суть в том, что ионизированную примесь разгоняют напряжением и выстреливают ею в подложку. Тормозится примесь в кристаллах сталкиваясь с атомами, при этом если кристаллическая решётка выравнена относительно луча, то на пути встречается меньше атомов подложки-атомы примесей пролетают сквозь окна решётки, примесь вгоняется глубже, это позволяет создавать 2 перехода за 1 операцию, плюс требуется передавать атомам примеси меньше энергии, а значит при столкновении с атомами кристалла они с меньшей вероятностью вызовут деформацию решётки. Опять же скорость травления материала зависит от положения решётки. Ну и другие мелочи, вроде некоторой разницы диэлектрической проницаемости при разной ориентации решётки.