Что значит в описании камеры - сенсор с обратной подсветкой?

Answer 1

значит в матрице светочувствительные элементы (фотодиоды) каждого субпиксела расположены не под разводкой, а над, то есть разводка находится вся под фотодиодами. Увеличение эффективной площади. Якобы улучшение чувствительности (и уменьшение шумов) на сколько-то процентов, но для мыльницы с 16 мПикс это как мертвому припарка, ибо шумы прут с 200 исо уже (если увеличить)

Answer 2

Сам по себе сенсор (по-русски называется "датчик изображения") - полупроводниковый прибор, где на подложке из кремния сформирована электродная структура, с помощью которой и обеспечивается работа такого прибора. Если это ПЗС-матрица, то электроды обеспечивают накопление отдельных зарядовых пакетов и их перенос к выходному устройству матрицы. Если это КМОП-датчик, то там электроды - это затворы транзисторов, потому что в таких датчиках каждая ячейка - это "выходное устройство" (в котором заряд, созданный светом, тут же и превращается в напряжение) , плюс несколько транзисторов для усиления сигнала и его коммутации. Причём тут что надо заметить: что электроды прибора нужны только для управления уже собранными электронами и для считывания сигнала, и ни для чего больше.
В обычных матрицах (их ещё называют "датчики с фронтальной засветкой") свет падает на ту же сторону кристалла, где и расположены все эти активные элементы, со своими электродами. Но эти электроды частично загораживают свет. Поэтому чувствительность приборов с фронтальной засветкой далека от теоретически возможной.

В приборах с обратной засветкой именно это и происходит: свет на кристалл подаётся с задницу. Со стороны, противоположной электродам. Штука в том, что в кремнии электроны, из которых и формируется сигнал, генерироваться могут в одном месте, а собираться в пакеты - в другом. Вот в матрицах с обратной засветкой это и происходит: кристалл таких матриц утоньшается до толщины в несклько микрон (это обалденно сложный технологический процесс) , и свет на него подётся со стороны, противоположной электродам. Фотогенерированные носители в такой структуре поэтому в свои ямки, где они накапливаются, попадают, путешествуя не вдоль поверхности кремния, как в обычных матрицах, а поперёк: на другую сторону кристалла. Это всё равно недалеко - в микронах.

Ну и поскольку на обратной поверхности кристалла электродов нет (они там не нужны - все операции с зарядовыми пакетами происходят на фронтальной стороне) , то у таких приборов выше чувствительность. Причём сильно выше - раза в два-три по сравнению с обычными приборами. А значит, при том же размере элемента надо меньше света, чтоб сгенерировать тот же зарядовый пакет.