Опять вопрос про транзистор.

Question

Говорят у транзистора база очень тонкая и слабо легированная поэтому при приложении прямо напряжения на эмитерный переход через коелкторный переход течет большой ток. Задается вопрос, раз ваша база такая тонкая и слаболегированная то и электроны (без напряжения эмитор-база, то есть закрытый транзистор) должны были пролететь чез базу в коллектор НАСКВОЗЬ раз уж она такая тонкая и слаболегированная. Устал уже от этого вранья и бреда где тот же факт в одном случае работает а вдругом нет. Ну не может эта тоненькая база препятствовать электронам при закрытом транзисторе. и еще, если даже предположить что плюс на базе тянет связанные элеткроны к себе как бы преподнимая ворота то эффект усиления бы не был. И даже если я предположим поверю что в однмо случае переход силен а в другмо слаб то всё ранво ничего не будет работать так как правокатором (причиной) движения элеткронво из эмитера в базу было напряжение на эмитер-базе значит она была настолько решающя и раз электроны начали вдигатся из за не то в не и пойдут то есть ВСЕ элеткроны пойдут через базу и в коллектор НЕ пойдут. Вобщем вот это все можете мне нормально обьяснить?

Answer 1

Могу посоветовать не заострять внимание на геометрических размерах зон. в районе р-n перехода в транзисторе существует потенциальный барьер. Об это очень подробно написано в книге "КВ приемник мирового уровня" (Кульский) в главе про транзисторы. Вплоть до примерного маршрута движения носителей зарядов внутри транзистора. Объясняется почему в этом случае он прошел, а в том - нет. С картинками.
Мое понимание, очень условно и упрощенно: есть потенциальный барьер. Преодолеть его носителям заряда, когда транзистор в закрытом состоянии, мешают кулоновские силы (закон взаимодействия зарядов) . Допустим транзистор npn, к коллектору - плюс батареи, к эмиттеру - минус. Плюсы батареи тянут с какой-то силой е же минусы. но на переходе эмиттер-база имется концентрация отрицательных зарядов, которая отталкивает минусы батареи сильне, чем их притягивают плюсы батареи, вот потому-то транзистор закрыт. Результирующая сила, даже если она невелика, отталкивает. Но если к базе приложить плюс, ровно такой, чтобы результирующая сила, действующая на минусы батареи, все-таки стала тянуть их в сторону плюса батареи, то минусы пройдут потенциальный барьер и попадут в базу. А в базе на эти минусы будут действовать притягивающие силы и от плюса батареи и от плюса базы. Но так как плюс базы был мал, то сила от него будет меньше, и основная часть минусов пойдет к плюсу батареи.

Почитайте книги, без этого все "упрощенные" понимания от других пользователей будут малоэффективны

Answer 2

Мне кажется, что читая ответы, Вы тут же забываете про строки выше, или ране. Тонкая база была дана для объяснения по коэффициенту. В закрытом состоянии ширина переходов увеличивается, и никак электроны не прорываются с эмиттера на коллектор. А бред? Какой бред? Как на пальцах объяснить, как работает транзистор, если Вы зациклились на тонкой базе? Я Вам дал литературу - Степаненко " Теория транзисторов и транзисторных схем". Вот и читайте там "бредовые" идеи, если не доверяете тому, что для Вас стараются объяснить на этом форуме. А для развития - прочитайте по-внимательне свой вопрос!