Вопрос про np-переход, диод и транзистор.

Question

Как известноIкэ = Iбэ * kk = коэффицент усиленияИ еще известно что сначала Iкэ от Iбэ зависит линейно но при определенном значении Iбэ, Iкэ = const Значит ли это что чем больше Iбэ тем меньше сопротивления np перехода который установлен обратно Iкэ то есть как бы одновременно происходят два процесса. С одноц стороны Iбэ разрушает переход а обратно этому перехоуд включенный Iкэ восстанавливает его и между ними есть динамическое равновесие. Если увеличить Iбэ то переход разрушится до боле бедного уровня и сопротивление канала уменьшится сотвественно увеличится Iкэ. и наконец когда переход полностью разрушен Iкэ
= const. Если это так то мое следующе предположенеи должно быть верным: ВАХ диода кривая крутизна которой увеличивается. Связано ли это с тем что с увеличением U увеличивается I и из за этого переход разрушается до боле бедного уровня и сопротивление перехода уменьшается сотвественно I увеличивается и от увеличения самого U и уменьшения R.

Answer 1

Я вобще плохо понимаю о чем речь, т. к. для электронщиков такое описание непонятно (а если честно - это бред, за исключением правильной формулы) . Единственно, что могу сказать - там ничего не разрушается! Вы вобще слышали об электронах и дырках? Если нет, то разбирайтесь с этим. Больше ничего не сказать не представляется возможным.

Answer 2

Чё-то фигня какая-то написана. . Что такое "разрушает переход"? Током, если он только не выжигает всё напрчь, разрушить переход нельзя.
ВАХ диода (отдельного диода, не транзистора) экспоненциальная по жизни. Это просто следствие определённой формулы - распределение Ферми. И опять зе до тех пор, пока не начинают сказываться всякие посторонние эффекты, типа оспределённого сопротивления базы (бады диода, а не транзистора! ) и внешнего сопротивления токоподводки, эта экспоненциальность сохраняется. Без всякого разрушения.

В транзисторе с увеличением базового тока да, падает коэффициент усиления тока базы (h21) . Ну там, собсно, просто проявляется некоторая зависимость этого коэффициента оттока базы. При совсем малых токах этот коэффициент тоже невелик, потом растёт, при некотором токе - максимальное значение, потом опять начинает падать, в силу разных причин (например, вероятность рекомбинации носителей базе транзистора зависит от концентрации оных, поэтому и получается нелинейный характер h21. Если б скорость рекомбинации от концентрации не зависела, усиление по току было бы постоянным) . Но никакого разрушения никаких переходов не происходит.