При хранении полупроводниковых приборов, там происходит дальнейшая диффузия примесей, и, как следствие, порча. А если

Хранить с поданным обратносмещённым напряжением, дольше пролежат?
3 года назад от Моя антипатия

1 ответ

0 голосов
Проще применять донорно акцепторные примеси с низкой скоростью диффузии при н. у.
и выращивать кристаллы с низким числом собственных дефектов типа дислокаций и других - склонных провышать локально скорость диффузии. Собственно переход от сплавной к эпитаксиальной технологии и от германия к кремнию решил данную проблему.
3 года назад от Тата

Связанные вопросы