Отечественные процессоры для ПК? Кто в теме (ради интереса) Эльбрус-16С

Answer 1

не мочи это гавно полное
Эльбрус-16С
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
 Эльбрус-8СВ
Центральный процессор
Производитель: МЦСТ
Технология производства:
28 нм
Наборы инструкций: «Эльбрус»
Микроархитектура: VLIW
Маркировка: 1891ВМ12Я
Число ядер: 8/16
L2-кэш: 4 МБ
L3-кэш: 16 МБ
Эльбрус-8СВ — 8-ядерный микропроцессор серии «Эльбрус», разрабатываемый российской компанией МЦСТ. Производительность — 576 Гфлопс ДТ [1] (с 16 ядрами) , заявленный техпроцесс — 28 нм [2]. Выпуск запланирован на 2018 год [3].

Процессор получит двукратный рост числа операций за такт над числами с плавающей запятой и оптимизированный кэш первого уровня [4][нет в источнике]. По планам МЦСТ, под названием Эльбрус-16С рассматривалась возможность выпуска 16-ядерной версии [1] (стр. 10) . Восьмиядерная версия также упоминается под названием Elbrus-8CV[5] (стр. 15-16) (Эльбрус-СВ [6]) . Разрядность блоков обработки чисел с плавающей запятой (FPU) будет увеличена с 64 до 128 бит. С учётом наличия в одном ядре 6-ти арифметико-логических каналов (АЛК) , каждый из которых имет в своём составе АЛУ и FPU, и способности FPU выполнять операции с тремя операндами (FMA3) , одно ядро микропроцессора будет исполнять до 24 операций с плавающей запятой за такт (двойная точность) . Таким образом, при наличии 8 ядер и тактовой частоты 1, 5 ГГц пиковая производительность микропроцессора составит 288 Гфлопс на операциях двойной точности (576 Гфлопс на операциях одинарной точности) . При наличии 16 ядер производительность на операциях двойной точности составит 576 Гфлопс, а при операциях одинарной точности — 1152 Гфлопс.

Технические характеристики
Основные характеристики микропроцессора «Эльбрус-8СВ» [1] (стр. 9)
ШифрПроцессор-9[7] (стр. 33)
Маркировка1891ВМ12Я [8] (стр. 15)
Тактовая частота1500 МГц
Число ядер8
Пиковая производительность микросхемы, Gflops (64 разряда, двойная точность) 288[9]
Пиковая производительность микросхемы, Gflops (32 разряда, одинарная точность) 576
Кэш-память 2-го уровня8 * 512 КБ
Кэш-память 3-го уровня16 МБ
Организация памяти4*DR4-2400[5] (стр. 16)
Площадь кристалла400 mm2/438mm2[5] (стр. 15)
Техпроцесс28 нм (TSMC)
Тепловыделение60-90 Вт [5] (стр. 16)
Число операций за такт (на каждое ядро) 50[1] (стр. 9) , до 24 операции над FP64
Год начала серийного производства2018 (план)